- Tranzystor unipolarny jest elementem półprzewodnikowym o zastosowaniu podobnym jak tranzystor bipolarny w układach analogowych jako element wzmacniający, w układach cyfrowych jako klucz elektroniczny. Produkcja i miniaturyzacja tranzystorów unipolarnych jest dużo prostsza niż tranzystorów bipolarnych, dlatego są powszechnie stosowane w układach scalonych(99% tranzystorów w układach scalonych to tranzystory unipolarne). Mogą być jednak wytwarzane także jako wysoko prądowe i wysokonapięciowe duże pojedyncze tranzystory, służące do przełączania sygnałów dużej mocy (8. MOSFET).
- Tranzystor unipolarny jest źródłem prądowym, ale sterowanym prądowo. Z tego też względu w obwodzie wejściowym tranzystora prąd praktycznie nie płynie ( jest rzędu mikro- lub nano amperów), dzięki czemu ma on bardzo dużą rezystancję wejściową, znacznie większą niż tranzystor bipolarny. Jest to podstawowa jego zaleta, gdyż dołączenie go do każdego współpracującego układu nie powoduje zauważalnego obciążenia tego układu.
- Tranzystory unipolarne oznacza się skrótem FET (Field Effect Transistor) - tranzystor z efektem polarnym, albo nazywa się tranzystorami polowymi. Zbudowane są one z pojedynczego kryształu półprzewodnika jednego rodzaju - typu p lub n. Na końcach kryształu mocuje się metalowe elektrody - źródło oraz dren. Źródło, oznaczone literą S (Source), odgrywa rolę podobną jak emiter w tranzystorze bipolarnym. Dren oznaczany literą D (Drain), pełni funkcję kolektora tranzystora bipolarnego. Kryształ półprzewodnika stanowi drogę zwaną kanałem, wzdłuż której mogą się przemieszczać zawarte w krysztale większościowe nośniki ładunków w półprzewodniku typu p - dziury, typu n - elektrony. Spolaryzowane odpowiednim napięciem elektrod źródła i drenu wymusza przepływ nośników większościowych od źródła do drenu, a więc przepływ prądu.
- Wzdłuż kanału utworzona jest trzecia elektroda nazywana bramką, oznaczana literą G (Gate). Zadaniem bramki jest sterowanie ilością nośników