Informacje dotyczące tranzystora JFET;
- W tym typie tranzystora kanał przewodzący może być wykonany z półprzewodnika typu N, bądź półprzewodnika typu P, bramka G wytworzona jest z półprzewodnika przeciwnego rodzaju. W ten sposób utworzono dwa złącza PN. Wokół nich tworzą się warstwy zaporowe stanowiące przewężenie kanału przewodzącego między źródłem i drenem, ponieważ praktycznie nie zawierają one nośników ładunków. Przewężenie można zwiększyć za pomocą napięcia zewnętrznego polaryzując złącze w kierunku zaporowych, zwiększając wartość tego napiecia, zwiększa się szerokość warstw zaporowych, jednocześnie zmniejszając szerokość kanału przewodzącego, a co za tym idzie zmniejszając wartość prądu, płynącego tym kanałem. Zwiekszając ujemne napięcię Ugs na bramce do wartości napięcia odcięcia, zwiekszamy warstwe zaporową, aż do stanu zamknięcia kanału, w którym tranzystor przestaje przewodzić prąd.
- Budowa strukturalna tranzystora JFET
Zwiększając ujemne napięcie Ugs na bramce do wartości napięcia odcięcia zwiększamy warstwę zaporową aż zostaną dostana kanału w którym tranzystor przestaje przewodzić prąd.