Klasyfikacja układów scalonych
W zależności od przyjętego, kryterium układy scalone można podzielić na różne klasy, ze względu na postać utwarzanych sygnałów, układy scalone dzieli się na:
- cyfrowe
- analogowe
- hybrydowe
Kolejnym kryterium jest złożoność układów, określana mianem stopnia scalenia. Miarą stopnia scalenia jest liczba bramek tworzących dany układ scalony lub liczba elementów. Określenia dotyczące stopnia scalenia odnoszą się tylko do półprzewodnikowych scalonych układów cyfrowych.
- Small Scale Integration (SSI) - do 10 bramek, lub do 100 elementów.
- Medium Scale Integration (MSI) - od 10 do 100 bramek, a od 100 do 1000 elementów.
- Large Scale Integration (LSI) - od 100 10 000 bramek lub od 1000 do 100 000 elementów.
- Very Large Scale Integration (VLSI) - powyżej 10 000 lub 100 000 elementów.
Następnym kryterium Klasyfikacji, może być struktura elektronicza podstawowego funktora lub technologia ich wytwarzania: a) Technologia DTL (Dute Transistor logic) - jest najprostszą z technik półprzewodnikowych, niestety ma małą obciążalność wyjść i wrażliwa na zakłócenia. b) Technologia TTL (Transistor-Transistor Logic) - jest to zmodyfikowana technologia DTL (nie posiada jej wad), w którym elementy diodowe zastąpiono tranzystorem wieloemitterowym, jest to najbardziej popularna technologia bipolarna. c) Technika MOS (Metal Oxide Semi-Conductor) - jest to technologia wykorzystywana o co najmniej dużym stopniu scalenia. W technologi MOS może, różne NMOS i PMOS.
PMOS (Technologia MOS z kanałem typu P) - jej wadą jest konieczność z korzystania z kilku źródeł zasilania. NMOS (Technika NMOS z kanałem typu N) - jest bardziej popularna, gdyż nie wymaga tak dużej liczby zasilania.
CMOS (ComplemetaryMOS) - realizuje się w niej układy logiczne, zawierające wyłączenie tranzystory przeciwstawne.
ECL (Emitter Coupled Logic) - należy do najszybszych technik półprzewodnikowych, gdyż tranzystory bipolarne podczas pracy, nie wchodzą w obszar nasycenia.
(Integration Injection Logic) - są to ukłądy charakteryzujące się bardzo małą powierzchnią zajmowaną przez pojedynczą bramkę. Co umożliwia osiągnięcie dużej gęstości upakowania w strukturze scalonej. TCD - Technologia polegająca na magazynowaniu i transporcie ładunków reprezentującego informacje. Technika ta jest wykorzystywana do budowy pamięci półprzewodnikowych.